首页
MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）
精华吧
→
答案
→
慕课
→
未分类
MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）
A.电子
B.空穴
C.钠离子
D.硅离子
正确答案：钠离子
Tag：
半导体物理
离子
空穴
时间：2022-01-16 13:49:40
上一篇：
在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，则在半导体的接触面上依次出现的状态为（）。
下一篇：
MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（），若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。
相关答案
1.
对于非理想的MIS结构，当半导体功函数小于金属功函数时，引起平带电压为（）；当绝缘层中存在负电荷时，若电荷密度（），或者电荷分布越（）金属一侧，平带电压的绝对值越大。
2.
硅肖特基二极管的特点（）
3.
欧姆接触有哪些实现的方式（）
4.
金属与N型半导体形成的整流接触，热电子发射理论适用于（）半导体
5.
金属与N型半导体形成的整流接触，扩散理论适用于（）半导体
6.
隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随（）的增加而增大
7.
N型半导体形成的肖特基势垒二极管，其正向电流是（）。
8.
金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，空间电荷区宽度将（）
9.
在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A在磷掺杂浓度为2e16cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（）
10.
金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，则半导体表面电子势垒高度将（）
热门答案
1.
肖特基势垒二极管是一种（）载流子器件
2.
半导体的功函数定义为真空能级E0和（）之差
3.
金属与N型半导体形成阻挡层，满足（）
4.
已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高k0T，则该p型半导体为（）半导体。
5.
考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将（）
6.
连续性方程所描述的物理现象包括（）。
7.
假设其它条件不变，可以通过（）降低半导体材料的电阻率。
8.
在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。
9.
决定半导体的载流子迁移率的因素有（）。
10.
半导体中载流子的电输运包括（）。